Pieter Edelman
8 February 2006

Het Amerikaanse Nantero voert gesprekken met Aziatische en Europese fabs voor de productie van zijn niet-vluchtige NRAM-geheugenmodules. De techniek is gebaseerd op koolstofnanobuisjes die over een 13 nanometer diep ravijn hangen. De bodem van deze 130 nm brede overbrugging is een elektrode. Door hier een elektrische spanning op te zetten buigen de buisjes ertegenaan. Dit sluit de stroomkring en vertegenwoordigt een 1 in het geheugen. De vanderwaalskrachten zorgen dat de buisjes tegen de elektrode blijven plakken als de elektrische spanning wegvalt.