Pieter Edelman
26 June 2013

Onderzoekers van Mesa+, de universiteit van Antwerpen en de UvA hebben ontdekt dat een extra laagje koperoxide wonderen doet voor de kwaliteit van oxidische heterostructuren. Het grensvlak tussen twee materiaallagen die beide met zuurstof gereageerd hebben, vertoont eigenschappen die interessant zijn voor onder meer brandstofcellen, sensoren en katalysatoren. Maar het is hiervoor wel zaak dat alle atomen in het kristalrooster gereageerd hebben met zuurstof.

In de praktijk bevatten de materialen vaak defecten: plekken op het kristalrooster waar een zuurstofatoom zou moeten zitten, maar waar dat niet het geval is. De onderzoekers beschrijven nu in Advanced Function Materials een methode om het aantal defecten sterk terug te dringen in een heterostructuur van LaAlO3 en SrTiO3. Door een laagje koperoxide aan te brengen tijdens de epitaxiale groei, blijkt zuurstof beter door te dringen in het materiaal en defecten te herstellen. In hun experimenten vonden de onderzoekers een toename van de elektrische geleiding aan het grensvlak met een factor vijftig.