Paul van Gerven
6 June 2017

Ook al werd hij pas vijf jaar geleden in productie geïntroduceerd, het lijkt erop dat de houdbaarheidsdatum van de finfet al is bereikt. Voor het 5-nanometerknooppunt heeft de IBM-alliantie de zogenaamde nanosheet-transistor voorgesteld, een schakelaar waarbij de gate helemaal rond het stroomkanaal vouwt. Vergeleken met de huidige 10-nanometerchips zou de technologie tot 40 procent sneller zijn of tot 75 procent zuiniger.

Het gate-all-around-ontwerp wordt al langer geopperd als potentiële opvolger van de finfet, maar dan meestal in combinatie met nanodraden. IBM en partners kiezen echter voor gestapelde velletjes silicium, drie stapels per transistor. Het voordeel daarvan is dat de hoeveelheid silicium in het kanaal kan worden afgestemd op de toepassing: meer gericht op performance of meer op energieverbruik. Finfets bieden die flexibiliteit in de praktijk niet, omdat hun hoogte in het productieproces niet kan worden gevarieerd.

De alliantie heeft al een wafer vol testchips met dertig miljard transistors per chip gefabriceerd. Opmerkelijk genoeg gebruikte zij daarvoor e-beamlithografie, al is de verwachting dat tegen de tijd dat de chips in productie gaan, euv-lithografie voldoende volwassen is om de productie te verzorgen.