Technieuws

Twentse onderzoekers knijpen lekstroom af

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

Mesa+-onderzoekers hebben de lekstroom van een transistor met een factor vijf weten in te dammen door erin te ‘knijpen’ met een piëzo-elektrische laag. De spanning op het materiaal verandert de bandstructuur van de halfgeleider, waardoor de ladingsdragers zich, afhankelijk van de richting van de spanning, makkelijker of juist moeizamer gaan bewegen. Met de juiste configuratie lukte het de onderzoekers geleiding in de aan-stand te stimuleren, terwijl de geleiding in de uit-stand niet werd beïnvloed.

Dit is een duidelijke verbetering van de dagelijkse praktijk in commerciële halfgeleiderproductie. Vaak wordt er geleidingsbevorderende spanning ingebakken in de halfgeleider, maar daardoor neemt onvermijdelijk ook de lekstroom toe. Omdat de Mesa+-onderzoekers de stress kunnen wegnemen, hebben zij daar geen last van.

Een andere manier om het piëzo-elektrische schilletje nuttig te gebruiken, is verlaging van de voedingsspanning. Dankzij de mechanische spanning kunnen schakelingen immers bij lagere spanning de drempelstroom bereiken. Net als indamming van de lekstroom scheelt dat aanzienlijk in het energieverbruik.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content