Toshiba ontwikkelt EUV-lak

Toshiba presenteert vandaag op de International Microprocesses and Nanotechnology Conference in Japan een fotolak die geschikt zou zijn voor EUV-lithografie met hoge resolutie. De Japanners vervingen het traditionele polymeer met een stervorminge verbinding van relatief laag moleculair gewicht. Dit truxeen-derivaat bleek geschikt om 20-nanometerstructuren af te beelden, al zijn er nog verbeteringen nodig voordat het geschikt is voor productie. Toshiba heeft er echter vertrouwen in dat het materiaal en de complementaire cross-linker het R&D-stadium zal ontgroeien en bruikbaar zal blijken in massafabricage.

Verschillende obstakels staan de introductie van EUV-lithografie in de halfgeleiderwereld nog in de weg. De meeste problemen staan bovendien met elkaar in verbinding: een verbetering van het ene, gaat meestal gepaard met een verslechtering van het andere. Van een fotolak wordt verwacht dat er structuren in afgebeeld kunnen worden van zo laag mogelijke resolutie die bovendien niet al te rafelige randjes hebben en dat hij voldoende gevoelig is  – iets wat weer gerelateerd is aan de lichtdosis. Deze driehoek levert chemici al jaren hoofdbrekens op, maar volgens Toshiba is het truxeen de oplossing.

De Japanse stof, overigens geen nieuw ontwikkelde, werkt zowel als positieve en als negatieve fotolak. Dat wil zeggen: na belichting kan het belichte stuk worden weggeëtst, maar met een ander oplosmiddel desgewenst ook het onbelichte.