Kort nieuws

Tft-doorbraak geeft flexibele elektronica boost

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

Onderzoekers van de University of Alberta zijn erin geslaagd een p-type inversielaag te induceren in een n-type dunnefilm van een metaaloxide met een grote bandgap. Deze vondst krikt de prestaties van dunnefilmtransistoren aanzienlijk op, waarmee flexibele elektronica een stuk krachtiger kan worden.

Genoemde inversielaag is in essentie het transistorkanaal, die ontstaat als een spanning op de gate wordt gezet. In een halfgeleider met een grote bandgap gaat dat normaal gesproken niet zo makkelijk, omdat er weinig intrinsieke ladingsdragers beschikbaar zijn. Met een slimme architectuur wisten de Canadezen dat probleem echter te omzeilen.

De resulterende schakelaar gedraagt zich als een bipolaire transistor, in de zin dat zowel elektronen als gaten bijdragen aan de elektrische output. Het onderliggende mechanisme voor ladingstransport berust echter op tunneling. De metaaloxide transistoren kunnen zeker tien keer meer stroom aan dan bestaande commerciële equivalenten, en kunnen ook nog eens aanzienlijk kleiner worden uitgevoerd.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content