Technieuws

Tandemzonnecel uit één geheel levert record op

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

Onderzoekers van Fraunhofer ISE en EV Group hebben van III-V-halfgeleiders en silicium een tandemzonnecel met recordefficiëntie uit één geheel gemaakt. Ze leenden daarvoor een proces uit de halfgeleiderindustrie, direct wafer bonding (dwb), waarbij een III-V-folie van enkele micrometers dik op silicium wordt geperst. Door de vorming van atomaire bindingen tussen het silicium en het III-V-materiaal ontstaat zo een monolithisch device dat als een gewone silicium zonnecel in modules kan worden geïntegreerd.

De additionele laag blijkt het rendement net boven het theoretische maximum voor alleen silicium te duwen: 30,2 procent, waar de limiet voor silicium 29,4 procent is en de hoogst gemeten waarde 26,3 procent bedraagt. De onderzoekers zijn daarmee nog niet tevreden; op termijn willen ze 30+ procent op moduleniveau realiseren.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content