Technieuws

Taiwanezen claimen 9-nm-RRam

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

Op een persconferentie gisteren in Taiwan hebben onderzoekers van het National Applied Research Laboratories een RRam-variant onthuld met een half-pitch van 9 nanometer. Het niet-vluchtige geheugen doet de huidige 32-nanometergeneratie flash in het stof bijten: het slaat informatie twintig keer dichter op, maar verbruikt tweehonderd keer minder energie. Over de vinding is verder nog weinig naar buiten gebracht, behalve dat massaproductie nog enkele jaren op zich laat wachten. De ervaring leert dat tussen ontdekking en commercialisering van nieuwe IC-technologie zeker tien jaar zit.

Resistive Ram is een van de kandidaten voor het zogenaamde universele geheugen dat snel, zuinig en goedkoop informatie opslaat en die bovendien vasthoudt wanneer de stroom eraf gaat. In het hart van RRam zit een laag metaaloxide die onder invloed van een spanning kan schakelen tussen hoge en lage weerstand. Verschillende metaaloxides, die normaal isoleren, vertonen dit gedrag, maar het is nog niet helemaal duidelijk welk(e) fysisch effect(en) daar verantwoordelijk voor is (zijn). Een breed onderschreven hypothese is dat er reversibel geleidende kanaaltjes worden gevormd.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content