Strontiumtitanaat op silicium wordt ferro-elektrisch

Amerikaanse onderzoekers van de Cornell University hebben laten zien dat een laagje strontiumtitanaat op silicium ferro-elektrische eigenschappen krijgt, terwijl het die normaal gesproken niet heeft. Op de grenslaag proberen de materialen op elkaar aan te sluiten, maar dat lukt niet helemaal omdat hun kristalroosters niet volledig compatibel zijn. De atomen in op silicium gedeponeerd strontiumtitanaat zijn gemiddeld slechts 1,7 procent van hun normale plaats verschoven, maar dat is voldoende om ferro-elektriciteit te induceren.

De vinding opent nieuwe mogelijkheden om hybride transistoren te maken met ingebouwde geheugenfunctie. Ferro-elektrische materialen zijn namelijk in verschillende toestanden te schakelen, die behouden blijven wanneer de stroom wordt uitgeschakeld. Toepassing als niet-vluchtig geheugen ligt daarom voor de hand. Het Amerikaanse Ramtron verkoopt al een ferro-elektrisch geheugen, FERam, maar schakelaars op basis van de materiaalcombinatie van de Cornell-onderzoekers zouden makkelijker zijn te maken, minder stroom verbruiken en hogere snelheden houden.