Warning: Undefined array key "bio" in /home/techwatch/domains/test.bits-chips.nl/public_html/wp-content/plugins/wpcodebox2/src/Runner/QueryRunner.php(126) : eval()'d code on line 13
Author:
Reading time: 2 minutes
Onderzoeksconsortium Sematech heeft de defectdichtheid op EUV-maskers teruggebracht tot 0,04 per vierkante centimeter. Dat is iets sneller dan verwacht. In de door Sematech zelf opgestelde roadmap stond het bereiken van deze defectdichtheid geprojecteerd voor halverwege 2008. Het EUV-kamp haalde deze ontwikkeling binnen als een overwinning. Sematech sprak van een ’mijlpaal‘.
Naast het opkrikken van het vermogen van lichtbronnen en het in toom houden van het trio gevoeligheid, resolutie en line edge roughness is het produceren van defectvrije maskers een van de meest urgente problemen in de ontwikkeling van EUV-productiemachines. Bij elke resolutie is het toelaatbaar aantal defecten en vuiltjes per oppervlakte-eenheid gebonden aan een maximum. Hoe hoger de resolutie, hoe strenger de eisen aan de properheid van het masker.
Het probleem is om de aanwezigheid van defecten routinematig te meten. Daarvoor zijn zeer geavanceerde metrologische tools nodig, waarvoor Sematech het Japanse Lasertec uitkoos. Het CNSE in Albany huisvest Sematechs centrum voor maskerontwikkeling. Deze twee organisaties verdienen dan ook een deel van de eer. Maar hoeveel eer valt er eigenlijk te verdelen?
Hoewel iedere vooruitgang op EUV-gebied valt toe te juichen, is er op de ’mijlpaal‘ van Sematech wel wat af te dingen. De behaalde defectdichtheid is goed voor 60-nanometerchips. Dergelijk silicium is met conventionele lithografie makkelijk te maken. Met EUV moet er dik onder de 32 nanometer worden gedoken om indruk te maken. Daar zitten de onderzoekers nog ver vanaf.
Om bijvoorbeeld 25-nanometervarianten te maken, is een defectdichtheid nodig van 0,003 per vierkante centimeter. Dat is al een ordegrootte verschil, laat staan als er nóg kleinere structuren moeten worden afgebeeld. Tien jaar geleden stonden onderzoekers nog een factor duizend van de gewenste defectdichtheid af, nu een factor tien tot honderd. Makkelijker zal het er niet op worden. Aaron Hand van Semiconductor International vergelijkt het in zijn blog met een stevig dieet: het kwijtraken van de eerste drie kilo is makkelijker dan de laatste drie.
Buiten de persberichten stelt Sematech zich een stuk bescheidener op. Op het EUV Symposium afgelopen november gaf Phil Seidel van het consortium te kennen dat er nog ’enorme uitdagingen‘ staan te wachten voor de fabricage van EUV-maskers. ’Ze moeten bovendien extreem vlak zijn en reflectieve multilagen van hoge performance hebben. Elk punt is individueel al erg moeilijk, laat staan alle drie tegelijk‘, aldus de projectmanager EUV.
