Opinie

Schakelen

Marcel Pelgrom
Leestijd: 3 minuten

Eerder deze maand was in Washington de International Electron Devices Meeting (IEDM). Op deze conferentie wordt het nieuwste werk gepresenteerd op gebied van halfgeleidercomponenten. Elk jaar gonst het in de voorafgaande weken van de geruchten. Deze keer had dat zeker te maken met de mysterieuze titel van een Taiwanese publicatie over een geheugeneffect in een finfet en de aangekondigde niet-vluchtige geheugens van Intel en Micron, genaamd Xpoint (cross-point).

De standaardtechniek om een bit niet-vluchtig op te slaan, gebruikt een geïsoleerde elektrode die met elektronen kan worden geladen. Voor tien jaar betrouwbare opslag moet de isolatielaag rondom de elektrode zeven tot negen nanometer dik zijn. Die vrij fundamentele eis beperkt de mogelijkheid tot miniaturisering en daar heeft Intel blijkbaar wat op gevonden. Maar eigenlijk hoopt iedereen op iets anders: een schakelelement dat de mos-transistor kan vervangen!

De transistor is 68 jaar geleden uitgevonden en de allereerste voorstellen voor een veldeffecttransistor zijn negentig jaar geleden door Lilienfeld gedaan. De transistor is een zeer vruchtbaar idee gebleken, maar kent ook zijn beperkingen. Om stroom door een halfgeleiderschakelaar te sturen, moeten elektronen met voldoende thermische energie over een potentiaalbarrière heen. Dan komen ze in een elektrisch veld en loopt er stroom.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content