Technieuws

Schakelaar van nanobuisjes

Pieter Edelman
Leestijd: 2 minuten

Wetenschappers van de Cambridge Universiteit, Samsung en het Sungkyunkwan-instituut voor nanotechnologie hebben een elektrische schakelaar gemaakt van meerwandige koolstofnanobuisjes. Hoewel dit soort schakelingen eerder zijn gesynthetiseerd, is het de eerste keer dat zowel de source als de drain en de gate uit nanobuisjes bestaan. Ook is het de eerste schakelaar waarbij de onderzoekers de buisjes direct op de elektronische componenten hebben laten groeien. Hierdoor zijn er minder strikte vereisten dan bij hoge-resolutie fotolithografie.

De onderzoeker etsten met elektronenbundellithografie drie elektrodes van niobium. Vervolgens brachten ze op elke elektrode een nikkeleilandje aan van 150 nm breed en 10 nm hoog. Dit dient als katalysator voor de verticale groei van de koolstofbuisjes. Het groeien verloopt via een chemisch dampdepositieproces.

De schakelaar werkt door één elektrode te aarden (de source) en het buisje ernaast positief te laden (de drain). Door nu een positieve lading op de gate-elektrode te zetten buigt de drain door de elektrostatische kracht naar de source toe. Boven een bepaalde drempelwaarde raken deze elkaar en sluit het circuit. De gate kan al dan niet met een koolstofbuisje uitgerust zijn.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content