Samsungs faseveranderingsgeheugen waarschijnlijk nog niet competitief

Samsung is begonnen met de productie van 60-nanometer 512 megabit faseveranderingsgeheugen (phase-change memory, PCM). De Koreanen willen PCM gebruiken om Nor-flash en uiteindelijk ook Nand-flash en mobiel-DRam te vervangen in mobiele telefoons en andere apparaten die op een accu draaien. Lager energieverbruik is namelijk PCM‘s grootste voordeel, zegt Samsung, naast een langere levensduur, goede schaalbaarheid, hoge schrijfsnelheid en de afwezigheid van de noodzaak foutcorrectiecode te moeten implementeren.

De geschiedenis van PCM gaat terug tot de jaren zestig, toen wetenschappers materialen ontdekten die gemakkelijk met warmtepulsen tussen amorfe en kristallijnen fase te schakelen zijn. Deze twee toestanden vormen de basis voor binaire dataopslag. Het duurde echter tot begin deze eeuw voordat de R&D met commerciële intenties werd geïntensiveerd. Tot op heden heeft dat nog geen concrete producten opgeleverd. Voor sommigen is dat reden om zich af te vragen of het er überhaupt van gaat komen.

Hoewel Samsung nu PCM-productie heeft aangevangen, is het onzeker of het geheugen op het punt van doorbraak staat. In zijn persbericht benadrukt Samsung dat het in de toekomst versies met hogere dichtheid gaat toepassen om commerciële adaptatie te versnellen. Dat suggereert dat PCM nog niet competitief is met zijn rivalen.