Samsungs 32-nm-HKMG-proces productieklaar

Samsung heeft zijn 32-nanometerproces met hoge-k- en metalen-gatetechnologie, ontwikkeld binnen IBM‘s faballiantie, gekwalificeerd voor productie. De Koreanen lijken daarmee de eerste foundry die dergelijke laagvermogenschips zal kunnen  maken, naar verwachting tegen het einde van dit jaar. Tot op heden maakte alleen Intel nog HKMG-chips, voor het eerst op het 45-nanometerknooppunt. Samsung wil begin 2011 naar het 28-nanometerknooppunt.

Hoge-k-materialen dienen als vervanger voor het traditionele gatediëlektricum siliciumoxide of varianten daarop. Dit materiaal vormde decennia lang de barrière tussen het transistorkanaal en de stuurelektrode, maar kan die functie niet meer vervullen bij steeds dunner wordende lagen. Andere oxides – vooral hafniumoxide – nemen het stokje daarom langzaam over. Voor een optimale werking van hoge-k-materialen is er ook een metaal in de gatestack nodig.