Samsung voert druk op in dralende geheugenmarkt

Met de opening van een nieuwe megafab zet Samsung de verhoudingen in de geheugenmarkt weer eens op scherp. Terwijl de sector door een dal gaat en de veel concurrenten in het rood zijn beland, voert de Koreaanse marktleider de druk op door de productie van ’s werelds meest geavanceerde geheugens in ’s werelds grootste geheugenfabriek aan te kondigen.

’De halfgeleiderindustrie zit in een periode van heftige cyclische volatiliteit, dus de opening van deze nieuwe geheugenfab (…) zijn belangrijke stappen om Samsungs leiderschap te onderstepen‘, zei Samsung Electronics-topman Kun-hee Lee, toen hij de eerste wafer met 20-nanometerklasse (20- tot 29-nanometer-) Nand-flashchips in ontvangst nam. ’We moeten ons voorbereiden op een storm in de industrie door onze technologische capaciteiten en expertise uit te breiden.‘

Tijdens dezelfde ceremonie kondigde Samsung eveneens de start aan van 20-nanometerklasse DDR3 DRam. De capaciteit van deze chips moet tegen het einde van het jaar al verdubbeld worden naar vier gigabit. Volgend jaar denkt Samsung met zijn Nand-flash de 10- tot 19-nanometerregio binnen te trekken.