Warning: Undefined array key "bio" in /home/techwatch/domains/test.bits-chips.nl/public_html/wp-content/plugins/wpcodebox2/src/Runner/QueryRunner.php(126) : eval()'d code on line 13
Author:
Reading time: 1 minute
Samsung heeft op de ISSCC een 8 Gbit DRam-chip getoond met through-silicon via-technologie (TSV‘s). In deze 3D-chip zijn de verschillende ’verdiepingen‘ verticaal met elkaar verbonden, in plaats van met draadjes. De geheugenchip van Samsung bestaat uit vier dies, verbonden met driehonderd TSV‘s.
TSV‘s worden al toegepast in CMos-beeldsensoren, maar wanneer ze in meer complexe toepassingen hun intree maken, is nog duidelijk. Schattingen gaan uit van gestapelde DRam- en flashchips in 2010 en gecombineerde processor-geheugenchips in 2015.
