Samsung maakt 40 nm 32 Gbit Nand-flashgeheugen

Samsung is er als eerste in geslaagd Nand-flashgeheugens te maken met details van 40 nanometer. Het Koreaanse bedrijf maakte gebruik van Charge Trap Flash (CTF)-transistortechnologie voor zijn 32 Gbit chips. Het CTF-flashgeheugen is volgens Samsung betrouwbaarder omdat de transistoren elkaar onderling nauwelijks beïnvloeden.

CTF-transistoren werken volgens een iets ander principe dan de conventionele transistoren met een zogenaamde zwevende gate. Dat is een laagje waarin elektronen kunnen worden opgeslagen. Afhankelijk van de aan- of afwezigheid van die deeltjes, is het drempelvoltage van de transistor hoog of juist laag. De toestand van het drempelvoltage komt overeen met een 0 of een 1.

In CTF-transistoren is er geen zwevende gate meer. In plaats daarvan slaat een kamertje siliciumnitride de lading op. Dit is zeker geen nieuw idee. In de jaren ‘70 werd het al gebruikt voor Metal Nitride Oxide Semiconductor (MNOS)-geheugen. Maar MNOS kende allerlei problemen met de elektrische isolatie, waardoor zwevende gate transistoren lange tijd de boventoon voerden.