Samsung-geheugen gebruikt TSV-technologie

Samsung heeft een 64 Gbit geheugenmodule aangekondigd waarin 4x-nanometer-DDR3-DRam-dies op elkaar zijn gestapeld en verbonden met through-silicon vias (TSV‘s). Het Koreaanse bedrijf claimt dat deze structuur 40 procent bespaart op het energieverbruik. Het brengt de aangekondigde RDimm-module in de tweede helft van 2011 op de markt.

TSV‘s zijn met koper gevulde ’liftschachten‘ die verschillende ’verdiepingen‘ in een chipstapel met elkaar verbinden. Vergeleken met de traditionele draadverbindingen (wirebonds) bieden ze betere prestaties en een hogere netto-bitdichtheid tegen een lager energieverbruik.