Technieuws

Samsung bouwt 512 Mbit SDRAM in 70 nm

Alexander Pil
Leestijd: 1 minuut

Samsung heeft een 512 Mbit DDR2 SDRAM-geheugen gemaakt in 70 nm-productietechnologie. De Koreanen haalden dit resultaat met hun eigen metaal-isolator-metaal (MIM) condensatortechnologie en hun 3D transistorarchitectuur Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor (S-RACT), die ze op het VLSI-symposium van 2004 en 2005 introduceerden. Hierdoor lost Samsung de problemen op rond gestapelde DRAM-cellen en verhoogt zo de belangrijke dataverversfunctionaliteit. In de tweede helft van 2006 wil het bedrijf de geheugencapaciteiten hebben uitgebreid tot 2 Gbit.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content