Recordmobiliteit in organische transistor gerealiseerd

Taiwanese onderzoekers hebben een organische transistor gefabriceerd met een elektronenmobiliteit van 0,08 cm²/Vs. Dat is tien keer meer dan het vorige record, en twee tot drie ordegroottes meer dan gebruikelijk. Hun geheim is een tussen elektrodes ingebed nanodeeltje als stroomkanaal. Omdat dit bolletje uit één stuk is gemaakt, krijgen elektronen en gaten nauwelijks de kans om op structurele defecten in de vaste stof te stuiten. Deze zogenaamde grain boundary scattering is een van de belangrijkste redenen waarom organische materialen matig geleiden.