Quantumdotlaser direct op silicium gegroeid

Onderzoekers van de University of California, Santa Barbara hebben een quantumdotlaser direct op een cmos-compatibel substraat laten groeien. De passieve mode-locked lichtbron produceert 64 kanalen van 20 GHz, resulterend in een dataoverdrachtsnelheid van 4,1 terabit per seconde. Ter vergelijking: de maximumsnelheid via ethernetverbindingen is momenteel 400 gigabit per seconde.

Optische communicatie en silicium zijn geen natuurlijke match: silicium is een indirecte halfgeleider en daarom niet geschikt om efficiënt licht in op te wekken. Voor silicium fotonica is een externe lichtbron nodig. De Amerikanen laten nu zien dat die direct op het substraat kan worden gegroeid, wat veel handiger is dan hem onafhankelijk maken en dan op het silicium plaatsen.