Productie GaN-op-Si-wafers van start in Hasselt

Het vorig jaar uit stealth-modus gekomen Epigan is op de Research Campus Hasselt gestart met de productie van silicium wafers met een epitaxiaal laagje galliumnitride. Door 150 millimeter plakken op de markt te brengen, hoopt de Imec-spin-off de lancering van een efficiëntere generatie vermogenselektronica te bewerkstelligen. Buiten het RF-domein is een GaN-substraat voor die toepassing doorgaans niet de eerste keuze, omdat siliciumcarbide goedkoper is. Met de beschikbaarheid van grotere GaN-plakken verandert dat kostenplaatje echter. Epigan werkt al aan een upgrade naar 200 millimeter.