Technieuws

NXP wil GaN de norm maken in RF-powerchips

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

Met de introductie van een drietal vermogensversterkers zegt NXP een eerste stap te zetten om van galliumnitride een ’universele‘ RF-technologie te maken. Deze markt is nu nog verdeeld, afhankelijk van de eisen die applicaties stellen. De keuze is primair tussen silicium-gebaseerd LDMos en GaN (NXP levert beide), maar in hoogvermogenstoepassingen als radio- en tv-uitzendingen worden nog altijd vacuümbuizen gebruikt. NXP‘s eerder dit jaar gepresenteerde roadmap voorziet erin deze situatie te vereenvoudigen, waardoor één enkele technologie als oplossing kan dienen voor meerdere systemen en frequenties.

De vermogensversterkers zijn deze week geïntroduceerd op de IMS2011-conferentie in Baltimore. Het betreft een 50 watt breedbandversterkerchip die het gebied tussen 500 tot 3000 MHz beslaat, een Doherty-versterker voor basisstations (2,1 en 2,7 GHz) en 100 watt versterker opererend in het gebied van 2,5 tot 3,5 GHz. De chips zijn ontwikkeld in samenwerking met United Monolithic Semiconductors en het Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics. Ze gaan eind dit jaar in productie.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content