NXP-spin-off IPDia vergroot capaciteit met ALD

IPDia, de NXP-spin-off uit Caen die condensatoren ontwikkelt gebaseerd op chiptechnologie, heeft samen met CEA-Leti een belangrijke stap gezet in het verhogen van de capaciteit. Met behulp van atoomlaagdepositie (ALD) hebben de partners een condensator ontwikkeld met capaciteit van 550 nF/mm² zonder lekstromen te verhogen. Op dit moment levert IPDia condensatoren met een capaciteit tot 250 nF/mm². De partners denken met deze techniek door te kunnen groeien naar 1 μF/mm².

IPDia gebruikt voor de productie van zijn condensatoren standaard silicium plakken, waar het een groot aantal gaatjes in boort om het oppervlak te verhogen. Om hier een condensator van te maken, worden hier een geleidend, een isolerend en opnieuw een geleidend laagje op gelegd. Dit levert hogere dichtheden op dan standaard tantaal- of MLCC-condensatoren. Bovendien zijn de condensatoren van IPDia beter bestand tegen extremen temperaturen.

In het nieuwe proces gebruikten de partners metalen voor beide geleidende laagjes. Hiertussen is een flinterdunne laag van een medium-k diëlektricum gesandwicht – het is niet bekend om welk materiaal het gaat. Essentieel voor het succes is dat de dikte van het laagje dankzij ALD zeer nauwkeurig wordt beheerst, zeggen de partners.