Nist vindt foutje in model voor transistorruis

Onderzoekers van het National Institute of Standards and Technology (Nist) hebben een fout ontdekt in de theorie omtrent ruis in transistoren met materiaaldefecten. Deze kunnen in sommige gevallen tussen de aan- en uittoestand gaan fluctueren. Volgens het elastic tunneling-model neemt de frequentie hiervan toe naarmate de afmetingen van de transistor afnemen. Uit proeven blijkt echter dat dit niet het geval is, rapporteerden Nist-onderzoeker Jason Campbell en zijn collega‘s op de IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology in Austin.

Uit het Amerikaanse onderzoek blijkt dat transistoren op nanometerschaal met dezelfde frequentie blijven fluctueren. De fout was tot nog toe niet aan het licht gekomen, omdat het model op grotere schaal wel de juiste verklaringen levert. Ze denken dat hun ontdekking de ontwikkeling van energiezuinige IC‘s in de wielen rijdt: het probleem van fluctuerende transistoren verergert bij lagere voltages. Een gebrekkig begrip van het proces maakt het verhelpen hiervan er niet makkelijker op. Een suggestie tot verbetering hebben de onderzoekers niet.