Technieuws

Nanoporeus tantaaloxide helpt rram aan ongekende dichtheid

Leestijd: 1 minuut

Onderzoekers van Rice University hebben rram-technologie naar een hoger niveau getild. Door ervoor te zorgen dat naburige cellen elkaar niet storen, kan een geheugen met een aanzienlijk hogere dichtheid worden gemaakt dan vergelijkbare ontwerpen. Ongekende capaciteiten tot zo’n 162 gigabit per chip zouden geen probleem zijn.

Rram bestaat in de regel uit een oxidelaag ingeklemd tussen metalen elektrodes, die individuele cellen adresseren via een crossbar-structuur. Door migratie van ionen of (zuurstof)vacatures en/of de vorming van filamenten, kan de geleidbaarheid van het oxide worden beïnvloed. Dat is de basis voor de geheugenwerking.

De Rice-onderzoekers gebruikten poreus tantaaloxide, ingeklemd door zuiver platina aan de ‘onderkant’ en grafeen met daarop platina aan de ‘bovenkant’. Deze stapel gedraagt zich net even anders dan andere architecturen, omdat het schakelmechanisme gebaseerd lijkt op een wisseling tussen een ohms contact (stroom wordt in beide richtingen doorgelaten) en een Schottky-contact (stroom wordt slechts in één richting doorgelaten).

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content