Technieuws

Nanobuisfoundry open voor business

Paul van Gerven
Leestijd: 2 minuten

De Texaanse foundry SVTC Technologies biedt zijn klanten als eerste een CMos-proces aan waarmee dunne films van koolstofnanobuizen (carbon nanotubes, CNT‘s) kunnen worden opgebracht op 200-millimeterwafers. SVTC zegt al een niet nader genoemde klant gevonden te hebben die een geheugen op de CNT wil baseren, het zogenaamde NRam-geheugen. Dat werd door het eveneens Amerikaanse Nantero ontwikkeld.

Een NRam-geheugencel werkt volgens een elektromechanisch principe. Hij bestaat uit een CNT die over een elektrode is gespannen. In rusttoestand is de CNT gestrekt en voorkomt een afstand van ruim tien nanometer tussen elektrode en buis dat er een stroompje kan lopen. Bij een voldoende grote spanning buigt de buis echter door en ontstaat er elektrisch contact. De aan- of afwezigheid van dit stroompje vormt de basis voor de binaire toestand van de geheugencel.

Volgens Nantero kan NRam tot wel twintig keer dichter gemaakt worden dan flashgeheugen. Dat zou een chip met een opslagcapaciteit van 320 gigabit opleveren, vergeleken met 16 gigabit voor flash die nu het maximum vormt. De Amerikanen hebben daar geen exotische lithografie voor nodig – de nu gangbare volstaat. Het niet-vluchtige NRam is daarnaast robuust en goed bestand tegen straling. Over de prestaties is echter niets bekend, al is de mobiliteit van elektronen in CNT‘s groter dan in silicium. In theorie mag daarom snelheidswinst worden verwacht.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content