Reading time: 1 minute
Author:
Onderzoekers van de University of Maryland hebben een ambipolaire transistor op molybdeniet (MoS2) vervaardigd waarin de ladingsdragers een recordmobiliteit vertonen. Op een plasic PMMA-substraat heeft een vijftig nanometer dikke laag van deze halfgeleider een elektronenmobiliteit van 470 cm2/Vs en een gatenmobiliteit van 480 cm2/Vs bij kamertemperatuur. Dat is bijna een ordegrootte hoger dan dezelfde schakeling op siliciumdioxide, waarop molybdeniet zich overigens overwegend als n-type halfgeleider gedraagt. Op plastic is de mobiliteit afhankelijk van de dikte van de laag: hoe dikker de laag, hoe hoger de mobiliteit.
Molybdeniet is net als grafeen een 2D-materiaal, maar heeft in tegenstelling tot grafeen van zichzelf een bandgap. Voor digitale schakelingen is een bandgap onontbeerlijk om de transistor uit te kunnen zetten. Een atoomdikke laag molybdeniet heeft bovendien een directe bandgap, hetgeen opto-elektronische en fotonische toepassingen ontsluit. Vorig jaar zijn er verschillende IC‘s op molybdeniet vervaardigd.
