Warning: Undefined array key "bio" in /home/techwatch/domains/test.bits-chips.nl/public_html/wp-content/plugins/wpcodebox2/src/Runner/QueryRunner.php(126) : eval()'d code on line 13
Author:
Reading time: 2 minutes
Voor het eerst zijn wafers vol chips op elkaar geplakt met contactjes die slechts een micrometer uit elkaar staan.
Het Franse onderzoeksinstituut Leti en de Oostenrijkse machinebouwer EV Group hebben een nauwkeurigheidsrecord waferstapelen gevestigd. Hun 300 millimeter plakken bevatten contactjes die minimaal een halve micrometer groot zijn en maximaal een micrometer uit elkaar staan. Deze elektrische verbindingen hoeven niet precies op elkaar te worden uitgelijnd, voordat de wafers definitief aan elkaar worden geklonken. Daarna worden de chips uit de wafer gezaagd.
Het stapelen van halfgeleiderdevices wordt om uiteenlopende redenen gedaan of overwogen. 3d chipstacks kunnen onder meer prestatieverbeteringen opleveren tegen gereduceerd vermogensverbruik of kosten en footprint besparen. Ook heterogene integratie is een belangrijke drijfveer: het combineren van chips die zijn gemaakt met verschillende processen.
Er zijn verschillende manieren om 3d chips te produceren. In dit geval wordt de verbinding op waferniveau tot stand gebracht, waarbij de koperen contacten tussen chips blootliggen in de toplaag van oxide. Omdat zowel metaal als oxide worden verbonden, heet dat hybrid bonding. Hoe kleiner de contacten en hoe dichter ze op elkaar zitten, hoe moeilijker dat is.
‘Voor zover wij weten, is dit de eerste demonstratie van sub-1,5-micrometer-pitch hybrid bonding’, zegt Frank Fournel van Leti. ‘Deze doorbraak betekent een belangrijke stap voorwaarts in de ontwikkeling van commerciële hogedichtheid-3d-chipstapeling.’
Een alternatief voor hybrid bonding is bijvoorbeeld oxide of dielectric bonding. Daarbij worden wafers met oppervlaktedekkende oxides met elkaar verbonden, om daarna gaatjes te boren en die met metaal te vullen om elektrisch contact tussen de wafers te bewerkstelligen.
