Technieuws

Kwantumlaser in silicium geïntegreerd

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

Onderzoekers van de University of Cardiff zijn erin geslaagd een infraroodlaser direct op silicium te laten groeien. Ze gebruikten daarvoor InAs en GaAs kwantumdots, want silicium zelf kan niet laseren en daardoor is het moeilijk om fotonica en elektronica te combineren op dit substraat. Een goede en betrouwbare laser op silicium geldt daarom een beetje als de heilige graal in het vakgebied. De kwantumlaser produceert licht met een golflengte van 1300 nanometer, blijft werken bij 120 graden Celsius en gaat zeker honderdduizend uur mee.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content