Warning: Undefined array key "bio" in /home/techwatch/domains/test.bits-chips.nl/public_html/wp-content/plugins/wpcodebox2/src/Runner/QueryRunner.php(126) : eval()'d code on line 13
Author:
Reading time: 1 minute
Justin Rattner van Intel heeft een 128 Mbit faseveranderingsgeheugen (phase-change memory of PRam) gepresenteerd in Beijing. De CTO ziet in het niet-vluchtige geheugentype de opvolger van Nor-flash. PRam is volgens hem zes keer zo snel en kan een miljoen keer worden beschreven. Intel is na Spansion de grootste producent van dit opslagmedium. De 90-nanometerchip gaat de tweede helft van dit jaar in productie.
Bij conventioneel geheugen vormt de aan- of afwezigheid van lading de basis voor de opslag van informatie. In flashgeheugen houdt de zogenaamde zwevende gate van een transistor elektronen gevangen. Het elektrisch veld dat daardoor ontstaat, bepaalt of er wel of geen stroompje gaat lopen bij het aanbrengen van een afleesvoltage. Dat laat zich vertalen in een 0 of een 1.
De basis voor de logische inhoud van fasegeheugen is iets anders: elektrische weerstand. Dit type geheugen bestaat uit kleine eilandjes van een materiaal dat zich in twee toestanden kan bevinden: kristallijn of amorf. In de kristallijnen fase zitten de atomen netjes geordend ten opzichte van elkaar. Deze fase heeft een lage weerstand. Bij de amorfe toestand is het net andersom. Meting van de geleidbaarheid van een eilandje kan dus twee verschillende uitkomsten hebben: een 0 of een 1.
Op de International Electron Devices Meeting afgelopen december presenteerden IBM, Macronix en Qimonda hun voortgang op het gebied van PRam maar dat was vooral een onderzoeksdoorbraak, die pas over ’enkele jaren‘ tot een massaproduct zou kunnen leiden.
