Technieuws

Intel vindt hoge-k-oxide voor indiumgalliumarsenide Fet

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

Intel heeft een Fet gefabriceerd uit indiumgalliumarsenide bovenop een substraat van silicium. De stap voorwaarts is vooral te danken aan de integratie van tantaalsiliciumoxide als hoge-k gatediëlektricum, in combinatie met een bufferlaag van indiumfosfor. In tegenstelling tot silicium hebben de meeste interessante halfgeleiders van nature geen goed isolerend oxide, hetgeen hun toepassing in CMos verhindert. Chipmakers zouden dat toch graag willen omdat deze materialen dikwijls een hogere ladingsdragermobiliteit hebben en dus beter presteren. Germanium staat op de agenda als beter basismateriaal voor PMos, galliumarsenide en varianten voor NMos en met indiumgalliumarsenide kun je beide kanten op.

Intels schakelaar presteert naar verwachting uitstekend en omdat hij toch op een siliciumsubstraat is gemaakt, hoeft de infrastructuur van fabs niet drastisch te worden aangepast. De Fet en in het bijzonder de gatecontacten zijn echter nog te groot om commercieel interessant te zijn. Als die schaalproblemen kunnen worden opgelost, zou de technologie tegen 2015 kunnen worden toegepast, verwacht Intel.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content