Author:
Reading time: 1 minute
Onderzoekers van Numonyx, een joint venture van Intel en STMicroelectronics, en collega‘s van Intel zelf gaan in december wat zij noemen een doorbraak presenteren in de commercialisering van faseveranderingsgeheugen. Zij hebben een raster van draden weten te integreren, waardoor het eenvoudiger is geworden om de geheugencellen te beschrijven. Daarnaast adresseren zij de vermeende problemen van schaalbaarheid door verschillende lagen op elkaar te stapelen.
Phase-change memory (PCM) staat in de eerste plaats in de belangstelling als duurzamere en energiezuinigere vervanger van Nor-flash. Het werkt door binaire informatie te coderen in de kristallijnen toestand van speciale materialen: amorf of kristallijn staat voor de nul of de een. Het idee gaat decennia terug, maar R&D met commerciële intenties werd pas ingezet aan het begin van dit decennium – tot nu toe met weinig resultaat, enkele aan selecte klanten gesamplede proefchips niet meegerekend.
Intel en Numonyx gunnen zichzelf echter de tijd: ’Tien jaar is niet onredelijk‘, aldus senior technologiefellow Greg Atwood. Niet iedereen is het daarmee eens.
