Technieuws

Ingebedde nanostructuren manipuleren licht

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

Onderzoekers van de University of California Santa Barbara hebben infrarood en terahertz licht gemanipuleerd met behulp van semimetallische 3D-nanostructuren ingebed in een halfgeleider. De gaststructuren wekken plasmonische effecten op, waardoor licht dat anders ongehinderd door de gastheer zou reizen, toch wordt ‘gegrepen’. Zo kan bijvoorbeeld mogelijk de absorptie in een bepaald golflengtegebied worden vergroot, of de polarisatie van het licht worden veranderd. Dit soort eigenschappen kunnen van pas komen in zonnecellen, in beeldsensoren of in opto-elektronica.

De Amerikanen gebruikten galliumantimonide (GaSb) als halfgeleider en erbiumantimonide (ErSb) als semimetaal. De structuren fabriceerden zij met een gecontroleerd groeiproces, waarbij via molecular beam epitaxy atoomlaag voor atoomlaag werd neergelegd. Het lukte met deze techniek om per laag te bepalen waar het GaSb komt te liggen, en waar het ErSb. Er waren geen noemenswaardige defecten in het resulterende materiaal te vinden.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content