Warning: Undefined array key "bio" in /home/techwatch/domains/test.bits-chips.nl/public_html/wp-content/plugins/wpcodebox2/src/Runner/QueryRunner.php(126) : eval()'d code on line 13
Author:
Reading time: 1 minute
Imec breidt zijn r&d-programma voor galliumnitride-op-silicium (GaN-op-Si) powerelektronica uit. Het Leuvense onderzoeksinstituut heeft een compleet cmos-compatibel GaN-op-Si-proces op tweehonderd millimeter gereed en stelt deze nu open voor partners, zodat zij hun technologie en devices kunnen optimaliseren. Ook fablessbedrijven kunnen er terecht voor beperkte productie.
Galliumnitride-elektronica kan sneller schakelen, heeft een hogere doorslagspanning en een lagere aan-weerstand dan silicium, wat voor powertoepassingen belangrijke voordelen zijn. Wafers van galliumnitride zijn echter erg duur en moeilijk te maken, vandaar dat processen zijn ontwikkeld om de samengestelde halfgeleider op een silicium substraat aan te brengen. Uit de stap die Imec nu neemt, blijkt dat deze technologie nu klaar is voor het echte werk.
