Kort nieuws

Imec vordert met ontwikkeling post-finfet-chips

Leestijd: 1 minuut

Op het VLSI 2015 Symposium deze week in Kyoto vertelt Imec over hoe de ontwikkeling van toekomstige ic-generaties verloopt. Het Leuvense onderzoeksinstituut heeft twee kandidaten om de finfet-structuur, die nu langzamerhand gemeengoed wordt in de leading-edge chipproductie, op te volgen: zogenaamde gate-all-around nanowire (gaanw) fets en quantum well (qw) finfets met SiGe-, Ge-, of III-V-kanalen. Bij gaanw-technologie is het stroomkanaal een nanodraad, die volledig wordt omsloten door de gate. Bij qw-technologie behoudt de vin-structuur, maar wordt het kanaal ‘uit’ het substraat getild.

Voor beide state-of-the-art architecturen zegt Imec belangrijke stappen te hebben gezet in de ontwikkeling van de uiterst complexe procestechnologie, al is de zaak nog niet rond. Een of beide nieuwe architecturen worden vermoedelijk vanaf het 7-nanometerknooppunt in gebruik genomen. Een analist heeft gespeculeerd dat Intel mogelijk al op 10 nanometer overstapt op qw-structuren.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content