Kort nieuws

III-V-op-Si-zonnecel bereikt rendement van 33,3 procent

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

Het Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems heeft door een ultradun laagje III-V-halfgeleiders op silicium te leggen een geïntegreerde zonnecel gemaakt met een rendement van 33,3 procent. Met alleen silicium is de praktische limiet ongeveer 27 procent, een rendement die de beste commerciële zonnecellen benaderen. Er wordt daarom gezocht naar complementaire materialen om te combineren met silicium. III-V-halfgeleiders vormen als componenten van de beste zonnecellen goede kandidaten, maar ze zijn erg duur. Volgens het Fraunhofer ISE zijn de kosten echter te overzien door heel weinig te gebruiken: de III-V-laag is slechts 1,9 micron dik.

De nieuwe zonnecel is echter om een andere reden te duur voor industriële toepassing: de silicium en III-V-lagen zijn met elkaar verbonden met een techniek die is geleend van de halfgeleiderindustrie. Dit direct wafer bonding is noodzakelijk voor het hoge rendement, maar niet geschikt voor de zonnecelindustrie. Samen met partner EV Group wil Fraunhofer daar verandering in brengen.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content