IBM onderdrukt ruis in grafeen

Onderzoekers van IBM hebben een manier gevonden om de ruis in grafeentransistoren te onderdrukken. Ze plaatsten twee laagjes ’atomair kippengaas‘ in dubbeldekkerformatie tussen twee elektroden en maakten zo een transistor die veel minder last had van willekeurige elektrische signalen dan het enkelvoudige equivalent. Hiermee is grafeen een stap dichterbij toepassing in nano-elektronica, denken de reseachers.

Volgens de regel van Hooge geldt dat hoe kleiner een elektrisch device, hoe groter de ruis. Dat komt omdat de signalen ook kleiner zijn en daarom gevoeliger voor allerlei vormen van interferentie. Zowel traditionele transistoren van silicium als futuristische van grafeen lijden onder dit fenomeen. Het is dan ook een van de uitdagingen voor nano-elektronica om hier omheen te werken.

De IBM-onderzoekers bevestigden dat enkellaags grafeentransistoren de regel van Hooge volgen. Hoe kleiner het plakje grafeen, hoe meer ruis ze maten. Het stapelen van twee lagen grafeen bleek de ruis effectief te onderdrukken. De elektrische koppeling tussen de twee lagen drukt de verschillend storingsbronnen kennelijk de kop in.