Technieuws

IBM maakt Fet van grafeen

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

Onderzoekers van IBM‘s T.J. Watson Research Center zijn erin geslaagd field-effect transistoren (Fet‘s) te maken van een strook grafeen op een substraat van silicium. Grafeen is een min of meer vlakke vorm van koolstof, waarin de atomen geordend zijn in een honingraatstructuur. Commercieel is de vinding pas over tien jaar interessant, maar IBM liet weten te kijken naar toepassing in RF-chips.

Onderzoeksleider en IBM Fellow Phaedon Avouris: ’We wilden grafeen vergelijken met ons werk aan koolstofnanobuizen (carbon nanotubes, CNT‘s). Het blijkt dat CNT‘s wat beter presteren, maar de mobiliteit van elektronen in grafeen is desalniettemin een factor tien hoger dan die in silicium.‘ Een hogere mobiliteit vertaalt zich in sneller schakelende transistoren.

Grafeen is eigenlijk geen halfgeleider maar een semimetaal. Het heeft geen bandgap. De Amerikaanse researchers pasten hier een mouw aan. ’We zijn erachter gekomen dat er een bandgap ontstaat als elektronen in een smalle strook grafeen worden opgesloten‘, aldus Avouris. Zijn groep maakte de reepjes koolstof twintig nanometer breed, maar gaat ook proberen de dikte terug te brengen tot twee nanometer. IBM gebruikte daarvoor elektronenbundellithografie maar heeft vermoedelijk een minder conventionele snijtechniek nodig om onder de tien nanometer te geraken.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content