Kort nieuws

IBM integreert III-V-halfgeleiders met silicium

Leestijd: 1 minuut

Onderzoekers van IBM Research in Zürich zijn erin geslaagd nanostructuren van III-V-halfgeleiders op soi-substraten te laten groeien. Zij spreken van ‘een belangrijke stap’ om ic’s te kunnen blijven schalen.

Het afgelopen decennium zijn er diverse grote veranderingen doorgevoerd in de structuur en fabricage van geavanceerde chips. Na onder meer een nieuw gate-oxide en de transitie naar finfet-structuren, wordt verwacht dat binnenkort – mogelijk al op het 10-nanometerknooppunt – het silicium stroomkanaal dient te worden vervangen door andere halfgeleiders.

De integratie van III-V-halfgeleiders, de gedoodverfde vervangers, is echter geen sinecure, omdat de kristalroosters niet goed op elkaar passen. Met een techniek genaamd template-assisted selective epitaxy (Tase) lukt het echter behoorlijk goed, meldt IBM in Applied Fysics Letters. Bij Tase worden holle structuren van siliciumoxide gebruikt als mal voor III-V-kristalletjes, die aangroeien uit de gasfase.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content