Technieuws

Harvard-onderzoekers knakken nanodraden

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

In een publicatie in Nature Nanotechnology beschrijven onderzoekers van Harvard University een techniek om nanodraden een hoek te laten maken. Door meerdere hoeken te incorporeren, nemen de draden zelfs twee- en driedimensionale vormen aan. Niet eerder hadden wetenschappers zo‘n ingrijpende controle over het groeiproces.

Charles Lieber en collega‘s knijpen tijdens de groei van de silicium nanodraden op gezette tijden de aanvoer van gasvormige chemicaliën even af. De in de draden aanwezige katalysator reageert op de concentratieverandering van de reactanten door een iets andere vorm aan te nemen. Daardoor krijgt het procesproces een iets andere groeirichting, en dat resulteert in een knik van 120 graden. Helemaal begrijpen doen de Amerikanen het nog niet, moeten ze overigens toegeven.

Door tijdens de groei ook nog eens verschillende doteringen te introduceren, konden de onderzoekers ook de elektronische karakteristieken variëren. Door de ene ’arm‘ elektrondeficiënt en de andere elektronrijk te maken, verkregen ze bijvoorbeeld een p-n-diode. Zelfs een soort veldeffecttransistor bleek mogelijk – helemaal bottom-up, dus zonder lithografische technieken. Behalve aan nano-elektronica denken de researchers ook aan nieuwe toepassingen als sensoren en fotodetectoren.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content