Technieuws

Halfgeleiderlaser direct op silicium gegroeid

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

Onderzoekers van Berkeley hebben III-V-lasers direct op silicium weten te groeien. Normaal gesproken lukt dat niet, omdat de kristalroosters van de twee materialen niet compatibel zijn. Of, in de woorden van Berkeley-onderzoeker Roger Chen, ’als twee puzzelstukjes niet passen, kun je de boel forceren, maar dan gaan ze wel kapot‘.

In het CMos-compatibele MOCVD-proces van de Amerikanen groeien nanopilaartjes van indiumgalliumarsenide op silicium bij een relatief lage temperatuur van 400 graden Celsius. Vervolgens toonden ze aan dat de structuurtjes laserlicht met een golflengte van 950 nanometer kunnen genereren. Dat komt doordat de kristalstructuur van de pilaren een optische holte creëert die efficiënt licht opsluit en versterkt.

Combinatie van silicium met III-V-materialen als lichtbron is noodzakelijk omdat silicium met zijn indirecte bandgap niet erg efficiënt fotonen emitteert. Tot nu toe pasten onderzoekers, onder andere van Leti en Imec, daarom andere strategieën toe om toch opto-elektronisch CMos te produceren. Recent is overigens een manier voorgesteld om toch licht uit silicium te ’melken‘.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content