Technieuws

Grafeen toch een beetje halfgeleider

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

De eerste laag grafeen die epitaxiaal op siliciumcarbide groeit, heeft een bandgap van meer dan 0,5 elektronvolt. Dat schrijven onderzoekers van het Georgia Institute of Technology in Physical Review Letters. De bandgap is in principe genoeg om transistoren mee te maken, al is het aan de krappe kant. De crux schuilt in een zeer gecontroleerd depositieproces bij zeer hoge temperatuur (1360 graden Celsius). Een afwijking van slechts twintig graden Celsius is al genoeg om een andere vorm van grafeen te groeien, met andere elektronische eigenschappen.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content