Technieuws

Globalfoundries presenteert HKMG-transistoren op 22 nm en kleiner

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

Op het VLSI Technology-symposium in Tokio heeft Globalfoundries een techniek laten zien die het mogelijk maakt om hoge-k-metalen-gate-transistoren te maken voor het 22-nanometerknooppunt en verder. De AMD-spin-off ontwikkelde het proces om n-Mosfets met een equivalent oxide thickness (EOT) van 0,55 nanometer en p-Mosfets met een EOT van 0,7 nanometer te maken. Andere onderzoekers wisten niet te voorkomen dat de prestaties van de schakeling inzakten met hun pogingen om de EOT te reduceren naar een niveau dat compatibel is met de volgende generaties transistoren, zegt Globalfoundries.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content