GeSn op silicium substraat gelegd

Imec, de KU Leuven en het Japanse AIST hebben een epitaxieproces ontwikkeld waarmee germaniumtin (GeSn) Mosfets op silicium kunnen worden geïntegreerd. De legering is vanwege zijn superieure mobiliteit kandidaat om in sub-10-nanometer-CMos toegepast te worden als kanaal, omdat silicium zelf wat dat betreft zo‘n beetje aan het einde van zijn Latijn is. Hoewel met GeSn-devices op germanium substraten al goede resultaten zijn geboekt, bleek integratie op silicium minder eenvoudig, onder meer vanwege het grote verschil tussen de roosterconstantes van beide materialen. Door een Mosfet te construeren, hebben de Vlaamse en Japanse onderzoekers aangetoond dat het toch mogelijk is de twee te combineren. Wel dient de procedure nog te worden verfijnd.