Your cart is currently empty!
Promotie
Geordende siliciumkristallen versnellen TFT’s
Leestijd: 4 minuten
Een dunnefilmtransistor (TFT) in polykristallijn silicium loopt de kans op het grensvlak tussen twee kristallen terecht te komen. Dat komt de prestaties niet ten goede. TU Delft-promovendus Ming He werkte aan een methode om de individuele kristallen op een netjes gedefinieerde plaats en met gelijke oriëntatie te krijgen. TFT‘s kunnen daardoor in de meeste gevallen in een enkel kristal blijven. Dit bleek met een geprepareerde ondergrond te realiseren. Dat opent de deuren naar geïntegreerde schakelingen op glas- en plasticsubstraten.
Dunnefilmtransistoren (TFT‘s) zijn in het dagelijkse spraakgebruik synoniem geworden met platte lcd-beeldschermen. De TFT‘s zijn hier verantwoordelijk voor het schakelen van de individuele pixels. Ze zijn echter best in te zetten voor het maken van circuits. Daarmee is geheugen of logica op glas- en plasticondergronden mogelijk. Dunnefilmtransistoren zijn ook te stapelen, waardoor ze mogelijk toepassing kunnen vinden in circuits met hoge dichtheid.
Standaard TFT‘s in polykristallijn silicium zijn echter wat aan de trage kant voor dit soort toepassingen. Polysilicium bestaat uit meerdere kristalkorrels. Op het grensvlak tussen twee kristallen zijn de atomen niet netjes geordend. Dat resulteert in een barrière voor de elektronenstroom. Een transistor over meerdere korrels uitgespreid presteert daardoor een stuk slechter. Het is dus zaak om elke transistor in een enkele siliciumkorrel uit te voeren.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.
