Geheugen van 2D-materialen gemaakt

Zwitserse onderzoekers van EPFL‘s Laboratory of Nanometer Electronics and Structures (Lanes) hebben de platte materialen grafeen en molybdeniet (MoS₂) gecombineerd tot een niet-vluchtig geheugen. Grafeen vervult in de geheugencel een dubbelrol: het dient om lading gevangen te houden, maar ook als elektrode. Het molybdeniet wordt gebruikt als transistorkanaal. Dit materiaal is bijzonder gevoelig voor de aanwezigheid van elektronen in de grafeenstapel erboven in de gate, zodat er maar weinig energie nodig is om de geheugentoestand uit te lezen of te veranderen.