Technieuws

Gedrag gestreste silicium atomen realtime gevolgd

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

Onderzoekers van de North Carolina State University hebben een techniek ontwikkeld om het chemisch gedrag van siliciumatomen aan een oppervlak te volgen. Met ellipsometrie, een optische techniek die veel wordt gebruikt om diëlektrische eigenschappen van dunne films te bestuderen, wisten zij realtime data te verzamelen over hoe atomaire bindingen worden gevormd. Tegelijk brachten de Amerikanen stress aan op het materiaal, om te kijken hoe dat het bindingsproces beïnvloedt.

Chipfabrikanten maken dankbaar gebruik van strained silicon, dat ervoor zorgt dat elektronen makkelijker door de halfgeleider bewegen. Maar hoe stress het chemisch gedrag van silicium stuurt, was nog niet veel bekend. De onderzoekers hopen dan ook dat hun werk kan worden aangewend om betere chips te maken.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content