Gate van nanodeeltjes regelt nanobuistransistor

Een onderzoeksteam uit Beijing en New York heeft nanodeeltjes van titaanoxide ingezet als gate-elektrode. Zij legden de korreltjes op een koolstof nanobuis, die ingeklemd tussen twee elektrodes als een geleidend kanaal dient. Wanneer er UV-licht op het titaandioxide schijnt, verzamelen elektronen zich aan het oppervlak. Dit interfereert met het stroompje door de nanobuis, waarmee de transistor een feit is.

Het idee om lichtgevoelige materialen te verwerken in een transistor is niet nieuw, maar de Chinees-Amerikaanse implementatie is een stuk robuuster dan haar voorgangers. In tegenstelling tot die voorgangers blijft de transistor ook werken na vele malen schakelen. Omdat de nanobuis bovendien naar keuze elektronen of gaten geleidt, kan de UV-stimulus de stroom behalve blokkeren ook juist stimuleren.

De onderzoekers gaan nu bestuderen hoe de interactie tussen nanodeeltjes en nanobuizen precies in zijn werk gaat. Ook hopen zij varianten te verzinnen die op andere stimuli dan UV-licht reageren.