Technieuws

Fraunhofer verbetert DRam-fabricage met agressiever etsgas

Pieter Edelman
Leestijd: 1 minuut

Het Fraunhofer Institute for Ceramic Technologies and Systems in Dresden en geheugenmaker Qimonda hebben een methode ontwikkeld om diepere gleuven in silicium te etsen. Daarmee hopen ze de capaciteit van DRam-geheugen te kunnen vergroten. Elke DRam-geheugencel bestaat uit een condensator en een transistor. Een geladen condensator representeert een 1 in het geheugen. Ongeladen staat deze voor een 0. Dram-condensatoren worden gemaakt door een groef in het silicium op te vullen met een isolator. De siliciumwanden vormen daarbij de ladingdragers. Een diepere groef resulteert dus in een hogere capaciteit van de condensator.

Het Fraunhofer-instituut experimenteert nu met agressievere gasmengels om de groeven dieper te etsen. Tegelijkertijd ontwikkelt het onderzoeksteam taaiere maskers die hiertegen bestand zijn. Op dit moment halen ze goede resultaten met aluminiumnitride.

Qimonda, de geheugenspin-off van Infineon, wil de technologie gebruiken voor zijn overstap naar 65 nanometer. Nu produceert het bedrijf zijn DRam-geheugens nog met 90-nanometertechnologie.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content